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美光内存路线图:10nm 级工艺多达六种 单条 64GB 马上来

不同于 CPU 处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值,闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法,比如 10nm-class(10nm 级别),只是介于 20nm 和 10nm 之间,然后又分为 1xnm、1ynm、1znm 等不同版本,越来越先进,越来越接近真正的 10nm。

随着先进半导体工艺难度的急剧上升,Intel 这样的巨头都开始吃不消,在工艺上一贯精打细算的闪存内存厂商也走出了一条新路,比如美光。

相比三星、SK 海力士,美光虽然也是 DRAM 内存巨头之一,但工艺一直不算很先进,10nm 级上更是玩出了花活,挤牙膏手法之新颖让 Intel 都会自叹弗如。

美光内存路线图:10nm级工艺多达六种 单条64GB马上来

美光早已有了成熟的第一代 10nm 级工艺也就是 1xnm,目前正在扩大产能的是第二代 1ynm,生产对象有 12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4 颗粒等。

当前美光正在与客户验证第三代 1znm,预计很快就会官宣,并在 2020 财年 (今年 9 月开始) 投入量产,据称会主要用来生产 16Gb LPDDR5、DDR5 颗粒。

按照 DRAM 内存行业以往的惯例,接下来就要超越 10nm 级工艺了,但想进入个位数时代实在太难, 美光计划在 1nm 级上多呆几年,并准备了至少三种新的 10nm 级工艺:1αnm、1βnm、1γnm——没错,都用上希腊字母了。

如此一来,美光将会有多达六种 10nm 级工艺, 有调研机构称美光其实还有个升级版的 1xsnm,但没有得到官方确认,如果属实将有七种,切不排除未来增加更多版本。

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1αnm、1βnm、1γnm 当然会一个比一个更先进,一个比一个更逼近 10nm,不过具体细节美光暂未披露,只是说 会在 1βnm、1γnm 阶段会用上沉浸式四重曝光技术,比现在的双重曝光、三重曝光更复杂。

同时,美 光还在评估 EUV 极紫外光刻技术,预计届时只需双重曝光 ,可大大降低工艺复杂度,但具体什么时候、在哪代工艺上使用,美光还没有做出决定。

美光估计,DRAM 内存生产中每一个 EUV 层需要 1.5-2 套 EUV 光刻机,月产能可达 10 万片晶圆,CPU 等逻辑芯片则需要一个 EUV 层对应一台 EUV 光刻机,月产能也仅有 4.5 万片晶圆。

目前,台积电、三星已经开始在 7nm 工艺升级版上部分引入 EUV,接下来的 5nm 上会全面部署,DRAM 内存行业显然不会那么快。

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另外,台北电脑展上我们已经见到威刚、英睿达 (美光消费级品牌) 展示 单条 32GB DDR4 UDIMM 消费级内存条 ,使用的都是美光最新的 1ynm 16Gb DDR4 颗粒。

美光透露,还会用这种颗粒制造 单条 64GB 容量的 RDIMM 服务器内存。

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转自 https://news.mydrivers.com/1/633/633893.htm

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