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全球第一 台积电宣布研发2nm工艺 2024年问世

在今天开幕的科技创新论坛会议上,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森除了探讨未来半导体工艺延续到0.1nm的可能之外,还宣布了一个重要消息——台积电已经启动2nm工艺研发,预计四年后问世。

在台积电目前的工艺规划中,7nm工艺去年已经量产,7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术,目前已经投入量产

6nm只是7nm的一个升级版,明年第一季度试产;

5nm全面导入EUV极紫外光刻,已经开始风险性试产,明年底之前量产,苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳),之后还有个增强版的N5P工艺。

3nm有望在2021年试产、2022年量产。

在3nm之后就要进入2nm工艺了,实际上台积电今年6月份就宣布研发2nm工艺了,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标,2nm工艺是一个重要节点,Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。

不过台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,性能、功耗等指标更是无从谈起。

转自 https://news.mydrivers.com/1/646/646957.htm

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