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重大突破!台积电有望在2024年量产2nm工艺芯片

台积电在2nm半导体制造节点方面取得重大研究突破,有望在2023年中期进入2nm工艺试生产阶段,并在一年后开始批量生产。

目前,台积电的最新制造工艺是5nm工艺,已用于生产A14仿生芯片。

据介绍,台积电的2nm工艺将采用差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管,它是对先前FinFET设计的补充。

值得注意的是,这也是台积电第一次将MBCFET设计用于其晶体管。

台积电一位高管对外表示,“我们乐观预计2023年下半年风险试产收益率将达到90%,这将有助于我们未来继续赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”。同时,他还提到,量产将于2024年开始。

台积电去年成立了2nm项目研发团队,寻找可行的发展路径。考虑到成本、设备兼容性、技术成熟度和性能等条件,2nm采用了基于环绕门(GAA)工艺的MBCFET。该结构解决了FinFET工艺收缩引起的电流控制泄漏的物理限制。

重大突破!台积电有望在2024年量产2nm工艺芯片

转自 https://news.mydrivers.com/1/715/715651.htm

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