德国工程师和物理学家发明了一种先进的RAM系统,这一技术被称为磁阻式随机存取记忆体(MRAM),号称更快和更有效率.
这种存储器利用内置小磁铁的磁性方向来确定二进制中的0和1,因为旁边一个固定磁铁的作用下,磁铁的指向可以被翻转,因此可以实现数据的存储和变化.

 

他们宣称这一技术是RAM理论的重大进步,可以几乎达到理论极限速度,比目前一般的内存快10倍,并且非常省电.

研究人员透露他们正在推动这一技术进步,进一步减少所需的电流水平,以使其兼容CMOS晶体管.

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（责任编辑：A7）
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