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全球第一家!台积电官宣 2nm 工艺:2024 年投产

这几年,虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓,但是在半导体工艺上,几大巨头却是杀得兴起。Intel 终于进入 10nm 工艺时代并将在后年转入 7nm,台积电、三星则纷纷完成了 7nm 工艺的布局并奔向 5nm、3nm。

现在, 台积电又官方宣布,正式启动 2nm 工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计 2024 年投入生产 ,时间节奏上还是相当的快。

全球第一家!台积电官宣2nm工艺:2024年投产

按照台积电给出的指标,2nm 工艺是一个重要节点,Metal Track(金属单元高度) 和 3nm 一样维持在 5x,同时 Gate Pitch(晶体管栅极间距) 缩小到 30nm,Metal Pitch(金属间距) 缩小到 20nm,相比于 3nm 都小了 23%。

台积电没有透露 2nm 工艺所需要的技术和材料,看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化,能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹,接下来就看能不能做到 1nm 了。

全球第一家!台积电官宣2nm工艺:2024年投产

当然,在那之前,台积电还要接连经历 7nm+、6nm、5nm、3nm 等多个工艺节点。

其中,7nm+首次引入 EUV 极紫外光刻技术,目前已经投入量产;6nm 只是 7nm 的一个升级版,明年第一季度试产;5nm 全面导入极紫外光刻,已经开始风险性试产,明年底之前量产,苹果 A14、AMD 五代锐龙 (Zen 4 都有望采纳);3nm 有望在 2021 年试产、2022 年量产。

三星也早就规划到了 3nm,预期 2021 年量产。

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转自 https://news.mydrivers.com/1/631/631572.htm

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