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电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

这些年在制程工艺上,Intel老是被诟病慢半拍,其实评价也不客观,毕竟Intel对制程节点的命名更严lao肃shi,所以才有Intel的10nm相当于甚至更优于台积电/三星7nm的说法。

想要从微观上鉴别制程差异,加拿大Up主Der8auer找来电子显微镜探究了一番,此次选取的对象是Intel 14nm+++工艺的酷睿i9-10900K和台积电7nm的AMD 锐龙9 3950X处理器。

开盖当然是基本操作了,还要尽可能把处理器搞得支离破碎,最后用导电胶固定在支架上,以便电镜X射线工作。

为了方便对比,特别选取的是各自处理器的L2缓存部分,这往往是工艺水准的集中体现。

电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

简单来说,Intel 14nm芯片晶体管的栅极宽度为24nm,而AMD芯片的栅极宽度为22 nm,栅高也相当相似。

虽然乍一看两者并没有太大不同,但仔细一瞧,台积电的节点仍然比英特尔的密度要大得多,毕竟名义上领先一代。

电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

转自 https://news.mydrivers.com/1/715/715141.htm

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  1. @浅草叶0

    9月23日 21:04来自新浪微博

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